宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。

宽禁带半导体主要具有以下四种优点：

1、宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度，使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高，器件的输出功率可获得大规模提升；

2、宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点，使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作，可极大提高系统的稳定性与可靠性；

3、宽禁带材料抗辐射能力非常好，在辐射环境下，宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍，因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料；

4、宽禁带半导体器件的结温高，故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。

近年来，迅速发展起来的以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的重要元件在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通等产业发展的重点新材料，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

总而言之，三代宽禁带半导体材料的出现有效弥补了传统一、二代半导体材料在高温、高频等领域的不足，能够较好适应半导体技术飞速发展的需要。目前，三代半导体材料还难以完全取代前两代半导体材料。

本文由石家庄藁城区兴安镇中学高级教师崔会欣进行科学性把关。

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